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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
58
Por volta de -53% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
38
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
11.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
2853
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
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Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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