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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
58
Por volta de -66% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
35
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
14.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
3534
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
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