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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
46
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
3200
Por volta de 8 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
28
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
9.5
Largura de banda de memória, mbps
3200
25600
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2932
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
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