RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
58
Por volta de -49% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
39
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
13.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
2808
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link