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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
58
Intorno -49% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
39
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
2808
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
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