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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
58
Por volta de -76% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
33
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
8.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
2086
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
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