RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
58
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2086
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
INTENSO 5641160 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link