RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
58
Por volta de -164% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
13.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
3188
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link