RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
58
Около -164% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.4
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
3188
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Mushkin 996902 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link