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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
58
Por volta de -76% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
33
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
8.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
2524
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
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V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Comparações de RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
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