RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
13.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
46
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.1
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
23
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
6.1
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2130
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link