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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
46
Por volta de -77% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Por volta de 6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
26
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
11.8
Largura de banda de memória, mbps
3200
19200
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3124
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Comparações de RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
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