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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
19.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
46
Por volta de -15% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
40
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
19.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
10.7
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2674
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
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