RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
46
Por volta de -77% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.2
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
26
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
21.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
16.4
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3755
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link