RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
46
Por volta de -77% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.2
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
26
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
21.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
16.4
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3755
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link