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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
46
Por volta de -31% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
35
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
10.1
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2636
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
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