RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
46
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
31
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
11.7
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3179
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link