RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
46
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
34
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
13.4
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3055
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link