RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
14.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
46
Por volta de -92% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
24
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
7.3
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2135
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link