RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
46
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
28
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
12.9
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3467
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link