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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
46
Por volta de -130% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
20
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
14.0
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3359
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
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