RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
19.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
46
Por volta de -92% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.9
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
24
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
19.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
15.9
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3779
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB Comparações de RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link