RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
46
Por volta de -156% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.7
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
18
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
20.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
16.4
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3722
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link