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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
46
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
28
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
12.6
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3104
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B-16F 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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