RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
46
Por volta de -109% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
22
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
18.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
13.5
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3310
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link