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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Pontuação geral
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    2 left arrow 16.5
    Valor médio nos testes
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    35 left arrow 46
    Por volta de -31% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    14.8 left arrow 1,519.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 3200
    Por volta de 5.31 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    46 left arrow 35
  • Velocidade de leitura, GB/s
    2,909.8 left arrow 16.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,519.2 left arrow 14.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    3200 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    241 left arrow 3336

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB Comparações de RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
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Memória RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
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Memória RAM
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
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Memória RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Memória RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
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Kingston 9965640-013.A01G 32GB
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Memória RAM
Corsair CMSX8GX3M1A1600C1 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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