RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
19.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
46
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.0
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
28
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
17.0
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3786
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB Comparações de RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link