RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
14.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
46
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
28
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
8.5
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2665
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link