RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
46
Por volta de -31% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Por volta de 6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
35
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
10.4
Largura de banda de memória, mbps
3200
19200
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2672
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link