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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
46
Por volta de -28% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
3200
Por volta de 8 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
36
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
15.3
Largura de banda de memória, mbps
3200
25600
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3372
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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