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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Razões a considerar
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
46
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.2
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.8
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
32
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
9.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
6.8
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2017
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
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