RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
46
Por volta de -119% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.0
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
21
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
7.0
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2276
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB Comparações de RAM
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AD64C1D1624E1B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link