RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
46
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
3200
Por volta de 8 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
38
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
10.4
Largura de banda de memória, mbps
3200
25600
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3030
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link