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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
46
Por volta de -28% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
36
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
11.6
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2482
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
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Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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