RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
46
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
32
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
13.1
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3064
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link