RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
46
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
32
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
12.0
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3054
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link