RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
19.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
46
Por volta de -156% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
18
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
16.2
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3597
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB Comparações de RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link