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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
62
Por volta de 26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.4
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Por volta de 6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
62
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
7.4
Largura de banda de memória, mbps
3200
19200
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
1891
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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