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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Comparar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,451.8
10.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
65
Por volta de -171% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,605.9
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,451.8
10.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
878
2353
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparações de RAM
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Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB Comparações de RAM
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
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