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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
比较
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
总分
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,451.8
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
65
左右 -171% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
24
读取速度,GB/s
4,605.9
15.3
写入速度,GB/s
2,451.8
10.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
2353
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
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