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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
62
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
62
读取速度,GB/s
4,937.3
14.3
写入速度,GB/s
2,061.2
11.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2710
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
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