RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
60
Por volta de -62% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
2,168.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
37
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
9.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
2722
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link