RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
60
Por volta de -76% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
14.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
3282
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link