RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
21.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
60
Por volta de -88% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
21.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
15.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
3684
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link