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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
60
左右 -88% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
32
读取速度,GB/s
4,595.2
21.6
写入速度,GB/s
2,168.2
15.5
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3684
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
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