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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
63
左右 -103% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
31
读取速度,GB/s
8.1
15.4
写入速度,GB/s
7.5
9.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2554
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
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