RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
11.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
60
Por volta de -62% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
37
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
11.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
2824
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link