RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
60
Autour de -62% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
37
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2824
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Corsair CML8GX3M1A1600C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link