RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
17.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
60
Por volta de -150% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
17.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
4069
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB Comparações de RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link