RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Comparar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
43
Por volta de -30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1706
3285
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Lenovo 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link