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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
43
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
33
读取速度,GB/s
12.3
17.8
写入速度,GB/s
8.1
12.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3285
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
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